温殿忠，男，1949年4月23日生，河北抚宁县人。1975年7月毕业于米乐官方版物理系半导体专业并留校任教，1987年在职学完微电子学与固体电子学的硕士研究生课程， 1992年9月被正式注册为加拿大阿尔伯塔大学电气工程系特别研究生。现任米乐官方版电子工程学院党委书记兼米乐官方版敏感技术研究所所长，教授、博士生导师。

学科：微电子学与固体电子学 研究方向：传感器MEMS

代表性著作：

《力学量敏感元器件及其应用》黑龙江科技出版社出版。

《磁敏感元器件与磁传感器》黑龙江科技出版社出版。

在重要学术刊物上发表的代表性论文：

1. Dianzhong Wen, SensitivityAnalysisofJunctionFieldEffect-PressureHalltron，Review of

Scientific Instrument Vol.66,No.1.251-255 .1995.1[SCI]收录.

2. Dianzhong Wen, An IC Chip of Magneto-Sensitivity Silicon Transistors Sensor, Solid-State and Integrated Circuit Technology， ICSICT,2001.10[EI]收录.

3. Dianzhong Wen, Negative-ResistanceCharacteristics Studies in Silicon Double Injection p+πn+ Magnetic-Device, International Society for OpticalEngineering,Vol.4414，301-305，2001.10. [EI]收录.

4. Dianzhong Wen, Theoretical Analysis of The Pressure-Magneto-Electric Effect of JFET, Journal of Electronics,Vol.7,No.2,April 1990. [EI]收录.

5. Dianzhong Wen, Double Injection Type Magneto- transistor Formed on a SOI Substrate，Chinese Journal Electron Devices,No.3,2006. [EI]收录.

6. Dianzhong Wen, Negative-Resistance Characteristics Analysis of Poly-Silicon Resistors Formed on the Flow Sensor, Rare Metal Materials and Engineering,2006. [EI]收录.

7. Dianzhong Wen, Polyimide Humidity Integrated Sensor Fabricated Using the MEMS Process, Rare Metal Materials and Engineering,2006. [EI]收录.

8. Dianzhong Wen, Research on the Oscillator Characteristics of Bridge Protein in Cell Membrane, Review of Advancements in Micro and Nano Technologies,2006. [EI]收录.

9.Dianzhong Wen, Polyimide Humidity Integrated Sensor Fabricated Using the MEMS Process, Polyimide Humidity Integrated Sensor Fabricated Using the MEMS Process, 稀有金属材料与工程(RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING),2006.12. [SCI]收录.

11.Dianzhong Wen, Negative-Resistance Characteristics Analysis of Poly-Silicon Resistors Formed on the Flow Sensor，稀有金属材料与工程(RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING),2006.12. [SCI]收录.

12.Dianzhong Wen, DESIGN A SYSTEM OF Ar-Ion LASER ENHANCED ANISOTROPIC ETCHING，MicroNanoChina07，January 10, 2007, [SCI]收录.

13.Dianzhong Wen, A new measurement circuit of magneto- transistor formed on a SOI Substrate，电子器件，Vol.29, Number3,609,2006.[EI] 收录

在研项目：

1.纳米硅/单晶硅异质结的SOI MAG-MOSFET压磁电效应研究，国家自然科学基金项目；（60676044）

2.电力电子器件在新型电源设备中的应用 黑龙江省教育厅振兴东北老工业基地重大项目；

3.煤矿安全生产信息化关键设备与产品及标准制定，信息产业部电子信息产业发展基金重点项目，（0602SK002）（第2承担单位）；

完成的主要课题：

完成两项国家级和十余项省部级科研课题，完成有代表性课题如下：

采用MEMS技术研究硅磁敏三极管模型与制造技术研究 国家自然科学基金项目。

硅各向异性腐蚀技术与设备 获国家科委颁发的国家级科技成果完成者证书。

2DCM硅磁敏二极管 获1978年全国科学大会奖。

列车车辆运行安全监测系统—偏载探测 铁道部项目。

C型硅杯各向异性腐蚀技术 黑龙江省经委重点项目。

M/Tao/Si/Ti/Pt多层膜结构应变物理特性研究 黑龙江省自然科学基金项目。

神经网络智能化脉诊仪的研究 黑龙江省“九五”科技攻关项目。

2DCM/波纹管高温高压液体流速检测仪研究 黑龙江省教委科研计划指导项目。

智能化油井注入液体流速检测仪 哈尔滨市计划项目。

获奖：

2DCM硅磁敏二极管 获1978年全国科学大会奖

硅各向异性腐蚀技术与设备 获1990年黑龙江省科技进步三等奖。

列车车辆运行安全监测系统—偏载探测 获1998年铁道部科技进步三等奖。

<Sensitivity analysis of junction field effect-pressure Halltron>获黑龙江省二等奖。